|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWEКод товара: 401049 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A4G43AB1-CWEКод товара: 74427 32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWEКод товара: 74394 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEКод товара: 75341 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-19200 M393A1G43EB1-CRC0QКод товара: 77734 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFКод товара: 75621 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K40DB3-CWEКод товара: 75841 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWEКод товара: 75454 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-19200 M393A1G43EB1-CRCКод товара: 508366 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4G43AB3-CWEКод товара: 76002 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M378A4G43AB2-CWEКод товара: 75697 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWEКод товара: 75295 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 PC4-25600 M393AAG40M32-CAECOКод товара: 362523 128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWEBYКод товара: 340456 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В |
|
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWEКод товара: 401146 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR4 PC4-21300 M378A5244CB0-CTDКод товара: 74560 4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43DB1-CWEКод товара: 76174 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBYКод товара: 401028 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M391A1K43DB2-CWEQYКод товара: 401202 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-44, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWEКод товара: 74346 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWEКод товара: 400854 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B1G73EB0-YK0D0]Код товара: 77271 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 PC3-12800 (M378B1G73EB0-CK0)Код товара: 76672 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 PC3-14900 M393B1G73QH0-CMAКод товара: 75758 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWEКод товара: 311459 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2K43EB1-CWEКод товара: 483565 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0Код товара: 340876 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-21300 M391A4G43MB1-CTDQYКод товара: 76977 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWEКод товара: 483378 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43MX3-CWEКод товара: 400935 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung DDR3 PC3-10600 1 Гб (M378B2873EH1-CH9)Код товара: 483485 1 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A5244CB0-CWEКод товара: 74752 4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M323R2GA3BB0-CQKOLКод товара: 400924 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWEКод товара: 75327 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M391A1K43BB2-CTDQYКод товара: 75719 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTDКод товара: 74083 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M378A2G43MX3-CTDКод товара: 74707 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung M391A4G43BB1-CWEQYКод товара: 401255 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWEКод товара: 74417 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQKКод товара: 483355 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M391A2K43BB1-CRCКод товара: 77515 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40DB3-CWEBYКод товара: 401273 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CTDКод товара: 77790 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOLКод товара: 400774 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-17000 M386A4G40DM0-CPB0QКод товара: 77579 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 PC3-12800 M393B1G70BH0-YK0Код товара: 311397 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-17000 M391A1G43DB0-CPBQ0Код товара: 77350 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5173QH0-YK0)Код товара: 76137 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFBYКод товара: 75035 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5173DB0-CK0)Код товара: 74389 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
![Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B1G73EB0-YK0D0]](images/m471b1g73eb0yk0d_th_100x100.jpeg "Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B1G73EB0-YK0D0]")
